| 在BIOS中優(yōu)化內存的方法 |
| 2009-5-15 10:43:17 哈爾濱百姓網 來源:賓縣百姓網-收集 瀏覽 次 【大 中 小】【打印】【關閉】 |
|
內存在電腦中的重要性和地位僅次于CPU，其品質的優(yōu)劣對電腦性能有至關重要的影響。為充分發(fā)揮內存的潛能，必須在BIOS設置中對與內存有關的參數進行調整。下面針對稍老一點的支持Intel PentiumⅢ、CeleronⅡ處理器的Intel 815E/815EP芯片組主板、VIA(威盛)694X芯片組主板和支持AMD Thunder bird(雷鳥)、Duron(鉆龍)處理器的VIA KT133/133A芯片組主板，介紹如何在最常見的Award BIOS 6．0中優(yōu)化內存設置。對于使用較早芯片組的主板和低版本的Award BIOS，其內存設置項相對要少一些，但本文所介紹的設置方法同樣是適用的。
Intel 815E/815EP芯片組主板
在這類主板BIOS的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設置頁面中一般包含以下內存設置項：
Set SDRAM Timing By SPD(根據SPD確定內存時序)
可選項：Disabled，Enabled。
SPD(Serial Presence Detect )是內存條上一個很小的芯片，它存儲了內存條的工作參數信息。如果使用優(yōu)質的品牌內存，則可以將DRAM Timing By SPD設置成Enabled，此時，就無需對下面介紹的BIOS內存參數進行設置了，系統(tǒng)會自動根據SPD中的數據確定內存的運行參數。有些兼容內存的SPD是空的或者感覺某些品牌內存的SPD參數比較保守，想充分挖掘其潛能，則可以將該參數設置成Disabled，這時，就可以對以下的內存參數進行調整了。
SDRAM CAS Latency Time(內存CAS延遲時間)
可選項：2，3。
內存CAS(Column Address Strobe，列地址選通脈沖)延遲時間控制SDRAM內存接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。在133MHz頻率下，品質一般的兼容內存大多只能在CAS=3下運行，在CAS=2下運行會使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數據甚至無法啟動。CAS延遲時間是一個非常重要的內存參數，對電腦性能的影響比較大，Intel與VIA就PC133內存規(guī)范的分歧也與此參數有關，Intel認為PC133內存應能穩(wěn)定運行于133MHz頻率、CAS=2下，而VIA認為PC133內存能穩(wěn)定運行于133MHz頻率即可，并未特別指定CAS值，因此Intel的規(guī)范更加嚴格，一般只有品牌內存才能夠滿足此規(guī)范，所以大家感覺Intel的主板比較挑內存。
SDRAM Cycle Time Tras/Trc(內存Tras/Trc時鐘周期)
可選項：5/7，7/9。
該參數用于確定SDRAM內存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數。Tras代表SDRAM行激活時間(Row Active Time)，它是為進行數據傳輸而開啟行單元所需要的時鐘周期數。Trc代表SDRAM行周期時間(Row Cycle Time)，它是包括行單元開啟和行單元刷新在內的整個過程所需要的時鐘周期數。出于最佳性能考慮可將該參數設為5/7，這時內存的速度較快，但有可能出現因行單元開啟時間不足而影響數據傳輸的情況，在SDRAM內存的工作頻率高于100MHz時尤其是這樣，即使是品牌內存大多也承受不了如此苛刻的設置。
SDRAM RAS-TO-CAS Delay(內存行地址傳輸到列地址的延遲時間)
可選項：2，3。
該參數可以控制SDRAM行地址選通脈沖(RAS，Row Address Strobe)信號與列地址選通脈沖信號之間的延遲。對SDRAM進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數設為2，如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運行則可將該參數設為3。
SDRAM RAS Precharge Time(內存行地址選通脈沖預充電時間)
可選項：2，3。
該參數可以控制在進行SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預充電所需要的時鐘周期數。將預充電時間設為2可以提高SDRAM的性能，但是如果2個時鐘周期的預充電時間不足，則SDRAM會因無法正常完成刷新操作而不能保持數據。
Memory Hole At 15M-16M(位于15M～16M的內存保留區(qū))
可選項： Disabled，Enabled。
一些特殊的ISA擴展卡的正常工作需要使用位于15M～16M的內存區(qū)域，該參數設為Enabled就將該內存區(qū)域保留給此類ISA擴展卡使用。由于PC'99規(guī)范已不再支持ISA擴展槽，所以新型的主板一般都沒有ISA插槽，因而應將該參數設為Disabled。
System Memory Frequency(系統(tǒng)內存頻率)
可選項：AUTO、100MHz、133MHz。
此項設置實現內存異步運行管理功能。AUTO：根據內存的特性自動設定內存的工作頻率；100MHz：將內存強制設定在100MHz頻率下工作；133MHz：將內存強制設定在133MHz頻率下工作。
Memory Parity/ECC Check(內存奇偶/ECC校驗)
可選項：Disabled，Enabled。
如果系統(tǒng)使用了ECC內存，可以將該參數設為Enabled，否則一定要將該參數設成Disabled。ECC表示差錯校驗和糾正(Error Checking and Correction)一般是高檔服務器內存條所具備的功能，這種內存條有實現ECC功能的內存顆粒，使系統(tǒng)能夠檢測并糾正內存中的一位數據差錯或者是檢測出兩位數據差錯。ECC功能可以提高數據的完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性，這對服務器尤其重要，但ECC會造成一定的性能損失。
VIA芯片組主板
VIA芯片組主板一般比Intel芯片組主板內存設置選項要豐富一些，在這類主板BIOS的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設置頁面中一般包含以下內存設置項：
Bank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing(內存速度設定)
可選項：Turbo(高速)，Fast(快速)，Medium(中等)，Normal(正常)，SDRAM 8/10 ns。
該選項用于設定內存的速度，對于SDRAM內存條，設定為SDRAM 8/10 ns即可。
SDRAM Clock(內存時鐘頻率)
可選項：HOST CLK，HCLK+33M(或HCLK-33M)。
該參數設置內存的異步運行模式。HOST CLK表示內存運行頻率等于系統(tǒng)的外頻，HCLK+33M表示內存運行頻率等于系統(tǒng)外頻再加上33MHz，HCLK-33M表示內存運行頻率等于系統(tǒng)外頻減去33MHz。如PentiumⅢ 800EB時，BIOS自動使該參數的可選項出現HOST CLK和HCLK-33M，如果使用PC133內存，可以將該參數設為HOST CLK，如果使用PC100內存，則可以將該參數設為HCLK-33M，這樣就可使系統(tǒng)配合性能較低的PC100內存使用。內存異步功能使系統(tǒng)對內存的兼容性的提升是比較明顯的，也是VIA芯片組一項比較重要的功能。
Bank Interleave(內存Bank交錯)
可選項：Disabled，2-Bank，4-Bank。
內存交錯使SDRAM內存各個面的刷新時鐘信與讀寫時鐘信號能夠交錯出現，這可以實現CPU在刷新一個內存面的同時對另一個內存面進行讀寫，這樣就不必花費專門的時間來對各個內存面進行刷新。而且在CPU即將訪問的一串內存地址分別位于不同內存面的情況下，內存面交錯使CPU能夠實現在向后一個內存面發(fā)送地址的同時從前一個內存面接收數據，從而產生一種流水線操作的效果，提高了SDRAM內存的帶寬。因此，有人甚至認為啟用內存交錯對于系統(tǒng)性能的提高比將內存CAS延遲時間從3改成2還要大。
不過，內存交錯是一個比較高級的內存設置選項，有一些采用VIA 694X芯片組的主板由于BIOS版本較舊，可能沒有該設置項，這時可以升級主板的BIOS。如果在最新版的BIOS中仍未出現該設置項，那就只有通過某些VIA芯片組內存BANK交錯開啟軟件，如WPCREdit和相應的插件(可以從"驅動之家"網站下載)來修改北橋芯片的寄存器，從而打開內存交錯模式。
SDRAM Driver Strength(內存訪問信號的強度)
可選項：Auto，Manual。
此選項用于控制內存訪問信號的強度。一般情況下可以將該選項設置成Auto，此時芯片組承擔內存訪問信號強度的控制工作并自動調整內存訪問信號的強度以與電腦中安裝的內存相適應。如果需要超頻或排除電腦故障，則可以將該參數設為Manual，這時就可以手工調整SDRAM Driver Value(內存訪問信號強度值)的數值。
SDRAM Driver Value(內存訪問信號強度值)
可選項：00至FF(十六進制)。
該選項決定了內存訪問信號強度的數值。要注意的是只有將SDRAM Driver Strength選項設為 Manual時，SDRAM Driver Value的數值才是有效的。SDRAM Driver Value的范圍是十六進制的00至FF，其數值越大，則內存訪問信號的強度也越大。內存對工作頻率是比較敏感的，當工作頻率高于內存的標稱頻率時，將該選項的數值調高，可以提高電腦在超頻狀態(tài)下的穩(wěn)定性。這種作法盡管沒有提高內存的工作電壓(有一些超頻功能較強的主板可以調整內存的工作電壓)，但在提高SDRAM Driver Value的數值時仍然要十分慎重，以免造成內存條的損壞。
Fast R-W Turn Around(快速讀寫轉換)
可選項： Enabled，Disabled。
當CPU先從內存讀取數據然后向內存寫入數據時，通常存在額外的延遲，該參數可以降低這種讀寫轉換之間的延遲。將該參數設置成Enabled，可以降低內存讀寫轉換延遲，從而使內存從讀狀態(tài)轉入寫狀態(tài)的速度更快。然而，如果內存不能實現快速讀寫轉換，則會造成數據丟失和系統(tǒng)不穩(wěn)定，這時就需要將該參數設置成Disabled。
注意：在BIOS中對內存進行優(yōu)化設置可能會對電腦運行的穩(wěn)定性造成不良影響，所以建議內存優(yōu)化后一定要使用測試軟件進行電腦穩(wěn)定性和速度的測試。如果您對自己內存的性能沒有信心，那么最好采取保守設置，畢竟穩(wěn)定性是最重要的。如果因內存優(yōu)化而出現電腦經常死機、重啟動或程序發(fā)生異常錯誤等情況，只要清除CMOS參數，再次設置成系統(tǒng)默認的數值就可以了。 |
|
| [責任編輯：佚名] |
|
| 【信息發(fā)布】【論壇交流】【留言反饋】【打印網頁】【大 中 小】【↑頂部】 |
|
|
|
|
|
|
